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05 12月、2023 246ビュー 著者: チェリー・シェン

MOS管はなぜ耐入力が高く静電気に弱いのか

MOS トランジスタは非常に高い入力抵抗を持っています。 ただし、入力抵抗が高く、ゲート・ソース間容量が非常に小さいため、静電気放電 (ESD) にも非常に敏感です。 MOS トランジスタは、外部の電磁場や静電気にさらされると容易に帯電します。 また、強い静電気が発生する状況では、蓄積された電荷が放電しにくくなり、静電気破壊が発生する可能性があります。

MOS管はなぜ耐入力が高く静電気に弱いのか

MOSトランジスタ

静電気破壊には大きく分けて XNUMX 種類あります:
XNUMXつ目は電圧型で、ゲート電極の薄い酸化層が破壊してピンホールが形成され、ゲート電極とソース電極間、またはゲート電極とドレイン電極間がショートします。

XNUMX つ目はパワータイプで、金属化されたアルミニウム薄膜ストリップが溶けて、ゲート電極とソース電極の間の開回路、またはゲート電極とドレイン電極の間の開回路が発生します。

MOSFETが故障する原因と解決策は?
まず、MOSFET の入力抵抗は非常に高く、ゲート端子とソース端子の間の静電容量は非常に小さいです。 したがって、外部電磁場や静電気の誘導の影響を非常に受けやすく、たとえ少量の電荷でも静電容量 (U=Q/C) に大きな電圧が発生し、トランジスタの損傷につながる可能性があります。

MOSFET の入力端子には静電気に対する保護が施されていますが、取り扱いには注意が必要です。 保管や輸送には導電性のある金属製の容器や包装材を使用し、化学物質や合成繊維などの静電気の高い電圧を発生する可能性のある素材や繊維が存在する環境に置かないようにします。

組み立てやデバッグ中は、ツール、機器、作業台などをすべて適切に接地する必要があります。 オペレータからの静電気干渉による損傷を防ぐことが重要です。 ナイロンや合成繊維の衣類を着用することはお勧めできません。 また、集積回路に触れる前に手や工具を接地することをお勧めします。 デバイスのリード線を伸ばしたり曲げたりする場合、または手はんだ付けを行う場合は、使用する機器を適切に接地する必要があります。

第二に、MOS 回路の入力端の保護ダイオードには、導通時に通常 1mA の電流制限があります。 過度の過渡入力電流(10mA以上)が流れる可能性がある場合には、入力保護抵抗を直列に接続してください。 したがって、適用の際には保護抵抗を内蔵したMOS管を選択することが可能です。

さらに、保護回路は限られた量の瞬間エネルギーしか吸収できないため、過度の瞬間信号や過度に高い静電圧によって保護回路が無効になります。 したがって、はんだ付け中は、漏れ電流によるデバイスの入力端の損傷を防ぐために、はんだごてを確実に接地する必要があります。 使用する場合は、電源を切ってからはんだごての余熱を利用してはんだ付けを行うことができ、先にアースピンをはんだ付けしてください。

MOS ゲート-ソース (GS) プルダウン抵抗の役割は何ですか?
MOS は、電圧に敏感な電圧駆動デバイスです。 フローティング ゲート (G) は外部干渉の影響を受けやすく、MOS が導通します。 外部干渉信号は GS 接合容量を充電し、この小さな電荷は長期間保存されます。

MOS管はなぜ耐入力が高く静電気に弱いのか

MOS ゲート-ソース (GS) 接続方法

実験では、この理由で多くのパイプが破裂したため、Gが吊り下げられることは非常に危険です。 グランドにプルダウン抵抗を追加することで、バイパス妨害信号が直接通過しなくなります。 この抵抗は通常 10 ~ 20K 程度で、ゲート抵抗と呼ばれます。
機能 1: 電界効果トランジスタにバイアス電圧を供給します。
機能 2: ブリーダ抵抗として機能し、ゲート G とソース S を保護します。

最初の関数は理解するのが簡単です。 ここで XNUMX 番目の機能の原理を説明します。 電界効果トランジスタのゲート G とソース S 間の抵抗は非常に大きくなります。 したがって、たとえ少量の静電気であっても、GS 端子間の等価静電容量に非常に高い電圧が発生する可能性があります。

これらの微量の静電気が適時に放電されない場合、両端の高電圧により電界効果トランジスタが誤動作したり、GS 端子が破壊されたりする可能性があります。 ゲート・ソース間に抵抗を加えることで、上記の静電気を放電し、電界効果トランジスタを保護することができます。

LISUN ESDシミュレーターガン (静電放電発生器/静電ガン/ ESDガン)は完全に準拠しています IEC 61000-4-2EN61000-4-2ISO10605, GB/T17626.2, GB/T17215.301 & GB/T17215.322.

MOS管はなぜ耐入力が高く静電気に弱いのか

ESD61000-2_静電気放電シミュレータ

ESDテストとは何ですか?
人体から物体や物体間に発生する静電気は、電気・電子機器の回路に誤動作や損傷を引き起こす可能性があります。 ESD 発生器は、電気および電子機器の評価のための耐 ESD 性能測定用に設計されています。 ESD61000-2/ESD61000-2A 英語と中国語の両方に対応するLCDタッチスクリーンを備えています。 

esdシミュレーターガンは何に使用されますか?
静電放電シミュレーターは、最高の静電電圧が最大30 kvになる可能性があり、これは最も厳しい標準グレードの静電電圧要件をカバーするのに十分です(グレード4の空気放電静電の電圧要件は15 KVです)。 ESDテストガンは、静電放電テスト用のほとんどの電気電子機器に使用でき、テストの比較可能性と再現性も保証できます。

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Lisun InstrumentsLimitedはによって発見されました LISUN GROUP 2003インチ LISUN 品質システムは ISO9001:2015 によって厳密に認証されています。 CIE会員として、 LISUN 製品は、CIE、IEC、およびその他の国際規格または国内規格に基づいて設計されています。 すべての製品はCE証明書に合格し、サードパーティのラボによって認証されました。

主な製品は ゴニオフォトメーター積分球分光放射計サージジェネレータESDシミュレーターガンEMIレシーバーEMC試験装置電気安全テスター環境室温度室気候チャンバーサーマルチャンバー塩水噴霧試験ダストテストチャンバー防水試験RoHSテスト(EDXRF)グローワイヤーテスト & ニードルフレームテスト.

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